Samsung M378A1K43EB2-CWE module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR4 3200 MHz
Samsung M378A1K43EB2-CWE, 8 Go, 1 x 8 Go, DDR4, 3200 MHz, 288-pin DIMM
| Date | Prix |
|---|---|
| 3 juillet 2026 | 184 € |
| 9 juillet 2026 | 207 € |
| 11 juillet 2026 | 234 € |
| 19 août 2026 | 207 € |
| 28 août 2026 | 239 € |
| 30 août 2026 | 239 € |
| 1 septembre 2026 | 207 € |
| 2 septembre 2026 | 207 € |
| 3 septembre 2026 | 207 € |
| 4 septembre 2026 | 239 € |
| 5 septembre 2026 | 239 € |
| 16 septembre 2026 | 239 € |
| 21 septembre 2026 | 239 € |
| 29 septembre 2026 | 209 € |
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Analyse du prix et du positionnement
Analyse générée automatiquement à partir des caractéristiques du produit et des données du marché.
Utilisation recommandée: upgrade mémoire pour PC de bureau cherchant à booster multitâche et temps de chargement. Ce module offre 8 Go, en DDR4 et en 288-pin DIMM pour une compatibilité standard, avec une fréquence de 3200 MHz et une configuration 1 x 8 Go.
Points forts
- Augmentation rapide de la capacité mémoire pour améliorer le multitâche et les temps de démarrage des applications.
- Fréquence élevée (3200 MHz) favorisant des échanges mémoire plus rapides avec le processeur.
- Format et type compatibles avec la plupart des desktops DDR4 grâce au DIMM 288-pin.
Points faibles
- Non ECC, ce qui peut ne pas convenir aux usages nécessitant une correction d'erreurs pour des calculs critiques.
Excellent compromis qualité/prix pour une mise à jour mémoire DDR4 desktop 8 Go, disponible dès 209 €
Information produit
Produit
- Nom
- Samsung M378A1K43EB2-CWE module de mémoire 8 Go 1 x 8 Go DDR4 3200 MHz
- Catégorie
- Mémoire RAM
- Marque
- Samsung
Autres caractéristiques
- Organisation des puces
- 1Rx8
Caractéristiques
- Mémoire interne
- 8 Go
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 8 Go
- Type de mémoire interne
- DDR4
- Fréquence de la mémoire
- 3200 MHz
- composant pour
- PC
- Support de mémoire
- 288-pin DIMM
- ECC
- Non
- Type de mémoire mise en cache
- Unregistered (unbuffered)
- Latence CAS
- 22
- Mémoire de tension
- 1.2 V
- Configuration de module
- 1024M x 8
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