Samsung M321R8GA0BB0-CQK module de mémoire 64 Go 1 x 64 Go DDR5
Samsung M321R8GA0BB0-CQK, 64 Go, 1 x 64 Go, DDR5, 4800 MHz, 288-pin DIMM
| Date | Prix |
|---|---|
| 9 mars 2026 | 3 376,60 € |
| 16 mars 2026 | 3 423,99 € |
| 24 mars 2026 | 3 443,29 € |
| 1 avril 2026 | 3 305,40 € |
| 9 avril 2026 | 3 707,65 € |
| 16 avril 2026 | 3 707,65 € |
| 28 avril 2026 | 3 506,59 € |
| 1 mai 2026 | 3 349,89 € |
| 4 mai 2026 | 3 185,79 € |
| 9 mai 2026 | 3 203,69 € |
| 15 mai 2026 | 3 203,69 € |
| 22 mai 2026 | 2 928,29 € |
| 31 mai 2026 | 2 928,29 € |
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Analyse du prix et du positionnement
Analyse générée automatiquement à partir des caractéristiques du produit et des données du marché.
Utilisation recommandée: module mémoire performant pour serveurs, stations de travail et environnements virtuels exigeants. DDR5, 64 Go et 4800 MHz constituent les leviers clés de performance et de stabilité, tandis que le module est Registered (buffered) et compatible PC/Server avec un format 288-pin DIMM.
Points forts
- Capacité élevée de 64 Go par module, idéale pour les charges mémoire intensives et la virtualisation
- Vitesse élevée à 4800 MHz offrant une meilleure bande passante pour les applications gourmandes
- Stabilité et évolutivité adaptées aux serveurs grâce au format Registered (buffered) et à la compatibilité PC/Server
Points faibles
- Également plus pertinent dans des configurations serveur ou workstation; non optimisé pour des PC grand public sans besoin mémoire élevée
Excellent compromis pour les serveurs et stations de travail nécessitant une grande mémoire, avec une capacité élevée et une vitesse adaptée, disponible dès 2 928,29 €
Information produit
Produit
- Nom
- Samsung M321R8GA0BB0-CQK module de mémoire 64 Go 1 x 64 Go DDR5
- Catégorie
- Mémoire RAM
- Marque
- Samsung
Caractéristiques
- Mémoire interne
- 64 Go
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 64 Go
- Type de mémoire interne
- DDR5
- composant pour
- PC/serveur
- Support de mémoire
- 288-pin DIMM
- Type de mémoire mise en cache
- Registered (buffered)
- Fréquence de la mémoire
- 4800 MHz
- Niveau de mémoire
- 2
- Mémoire de tension
- 1.1 V
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