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Kingston Technology KTL-TN432E/8G module de mémoire 8 Go DDR4 3200 MHz ECC

Kingston Technology KTL-TN432E/8G, 8 Go, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM

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Historique des prix de Kingston Technology KTL-TN432E/8G module de mémoire 8 Go DDR4 3200 MHz ECC sur les 3 derniers mois
DatePrix
20 juillet 2026273 €
23 juillet 2026272 €
28 juillet 2026272 €
30 juillet 2026287 €
4 août 2026272 €
17 août 2026272 €
20 août 2026272 €
27 août 2026272 €
1 septembre 2026272 €
5 septembre 2026271 €
11 septembre 2026271 €
15 septembre 2026272 €
18 septembre 2026272 €
22 septembre 2026271 €

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Analyse du prix et du positionnement

Analyse générée automatiquement à partir des caractéristiques du produit et des données du marché.

Idéal pour les ordinateurs portables et mini-PC nécessitant fiabilité et extensibilité mémoire, ce module mémoire convient parfaitement aux systèmes compatibles ECC et DDR4. Il offre DDR4, 8 Go et ECC pour une stabilité des données et des performances multitâches accrues, complété par une architecture 260-pin SO-DIMM et une latence CAS de 22 pour un accès rapide.

Points forts

  • Augmentation de la mémoire disponible pour le multitâche et les applications gourmandes grâce à 8 Go
  • Fiabilité accrue grâce à l'ECC et à la correction d'erreurs
  • Format compact SO-DIMM 260-pin, adapté aux portables et mini-PC compatibles DDR4

Points faibles

  • Compatibilité potentielle limitée: ECC et mémoire non-buffered nécessitent un support matériel spécifique, certains systèmes ne prennent pas en charge ce type de module

Information produit

Kingston Technology KTL-TN432E/8G, 8 Go, DDR4, 3200 MHz, 260-pin SO-DIMM
Mémoire RAM Kingston Technology

Produit

Nom
Kingston Technology KTL-TN432E/8G module de mémoire 8 Go DDR4 3200 MHz ECC
Catégorie
Mémoire RAM

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 85 °C
Température hors fonctionnement
-55 - 100 °C

Données logistiques

Code du système harmonisé
84733020

Caractéristiques

Mémoire interne
8 Go
Type de mémoire interne
DDR4
Fréquence de la mémoire
3200 MHz
Support de mémoire
260-pin SO-DIMM
ECC
Oui
Type de mémoire mise en cache
Unregistered (unbuffered)
Latence CAS
22
Niveau de mémoire
1
Mémoire de tension
1.2 V
Profil SPD
Oui
Rétroéclairage
Non

Durabilité

Certificats de durabilité
RoHS

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