QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666 module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR4 2666 MHz ECC
QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666, 4 Go, 1 x 4 Go, DDR4, 2666 MHz, 288-pin DIMM
| Date | Prix |
|---|---|
| 18 juillet 2026 | 87,11 € |
| 28 juillet 2026 | 146 € |
| 1 août 2026 | 131 € |
| 5 août 2026 | 98,58 € |
| 15 août 2026 | 79,06 € |
| 18 août 2026 | 72,87 € |
| 20 août 2026 | 61,40 € |
| 28 août 2026 | 127 € |
| 29 août 2026 | 127 € |
| 31 août 2026 | 127 € |
| 1 septembre 2026 | 127 € |
| 3 septembre 2026 | 127 € |
| 5 septembre 2026 | 56,38 € |
| 15 septembre 2026 | 176 € |
| 3 octobre 2026 | 205 € |
| 12 octobre 2026 | 205 € |
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Idéal pour les configurations PC/serveur qui nécessitent une extension mémoire fiable et non-bufferée, le module QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666 s'insère facilement dans une architecture DDR4 et ECC. 4 Go mémoire interne, DDR4 2666 MHz et ECC apportent respectivement capacité adaptée, vitesse compatible et protection des données, tout en restant simple à installer via un seul module de 4 Go 288-pin DIMM.
Points forts
- Augmentation de la capacité mémoire avec une faible empreinte d'emplacement (1 module)
- Compatibilité DDR4 et 288-pin DIMM pour une intégration aisée dans les systèmes PC/serveur
- ECC intégré qui améliore la stabilité et la fiabilité du système
Points faibles
- Capacité de 4 Go peut être insuffisante pour les charges exigeantes ou les serveurs très sollicités
Bon rapport qualité/prix pour une extension mémoire DDR4 ECC adaptée aux postes de travail et serveurs légers, disponible dès 205 €
Information produit
Produit
- Nom
- QNAP RAM-4GDR4ECP0-UD-2666 module de mémoire 4 Go 1 x 4 Go DDR4 2666 MHz ECC
- Catégorie
- Mémoire RAM
- Marque
- QNAP
Données logistiques
- Code du système harmonisé
- 84733020
Caractéristiques
- Mémoire interne
- 4 Go
- Disposition de la mémoire (modules x dimensions)
- 1 x 4 Go
- Type de mémoire interne
- DDR4
- Fréquence de la mémoire
- 2666 MHz
- composant pour
- PC/serveur
- Support de mémoire
- 288-pin DIMM
- ECC
- Oui
- Type de mémoire mise en cache
- Unregistered (unbuffered)
- Mémoire de tension
- 1.2 V
- Configuration de module
- 512M x 8
- Pays d'origine
- Taïwan
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