Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30, 512 Go, M.2, 5100 Mo/s

Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30 disque SSD M.2 512 Go PCI Express 4.0 3D NAND NVMe

Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30, 512 Go, M.2, 5100 Mo/s

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Information produit

Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30. Capacité du Solid State Drive (SSD): 512 Go, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 5100 Mo/s, Vitesse d'écriture: 4600 Mo/s, composant pour: Notebook/Game console

Disques SSD Goodram
Produit
Nom
Goodram IRDM PRO NANO IRP-SSDPR-P44N-512-30 disque SSD M.2 512 Go PCI Express 4.0 3D NAND NVMe
Catégorie
Marque
Poids et dimensions
Largeur
22 mm
Profondeur
30 mm
Hauteur
2,2 mm
Conditions environnementales
Température d'opération
0 - 70 °C
Température hors fonctionnement
-40 - 85 °C
Température maximale de fonctionnement
70 °C
Caractéristiques
Facteur de forme SSD
M.2
Capacité du Solid State Drive (SSD)
512 Go
Interface
PCI Express 4.0
Type de mémoire
3D NAND
NVMe
Oui
composant pour
Notebook/Game console
Vitesse de lecture
5100 Mo/s
Vitesse d'écriture
4600 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)
780000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)
920000 IOPS
Type de contrôleur
Phison E21T
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Taille du SSD M.2
2230 (22 x 30 mm)
ECC
Oui
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Classe TBW
300
REMARQUE: Les informations ci-dessus sont fournies uniquement pour votre commodité et nous ne pouvons garantir leur exactitude auprès du vendeur.

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