Vishay - KBU4G-E4/51 Pont redresseur kbu 400 v 4 a Monophasé S84491
enquête Vishay KBU4G-E4/51 Type de boîtier (semi-conducteur): KBU Contenu: 1 pc(s) description Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant VishayKBU4G-E4/51 données techniques Courant coupé limité I(F): 4 A Courant de fuite I(r): 5 µA Courant inverse I(r) - Référence: 400 V Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension directe U(F): 1 V Tension directe: 4 A informations supplémentaires Pont redresseur 400 V 4 A Monophasé Vishay KBU4G-E4/51 Type de boîtier (semi-conducteur): KBU Conditionnement: 1 pc(s) Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Données techniques : Configuration (Diode) : Monophasé · Courant coupé limité : 4 A · Courant de fuite I(r) : 5 µA
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enquête Vishay KBU4G-E4/51 Type de boîtier (semi-conducteur): KBU Contenu: 1 pc(s) description Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. fabricant et numéro du fabricant VishayKBU4G-E4/51 données techniques Courant coupé limité I(F): 4 A Courant de fuite I(r): 5 µA Courant inverse I(r) - Référence: 400 V Température de fonctionnement (max.): +150 °C Température de fonctionnement (min.): -55 °C Tension directe U(F): 1 V Tension directe: 4 A informations supplémentaires Pont redresseur 400 V 4 A Monophasé Vishay KBU4G-E4/51 Type de boîtier (semi-conducteur): KBU Conditionnement: 1 pc(s) Redresseurs de diode des constructeurs leader du marché. Nous mettons à votre disposition toute la documentation nécessaire, téléchargeable gratuitement sur internet. Données techniques : Configuration (Diode) : Monophasé · Courant coupé limité : 4 A · Courant de fuite I(r) : 5 µA
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